casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP75R07N2E4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FP75R07N2E4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP75R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP75R07N2E4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP75R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP75R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF450R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P2BPSA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P3BPMA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P4BPMA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P6BPMA1
Infineon Technologies
FF45R12W1J1B11BPSA1
Infineon Technologies
FF500R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R06ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4FBOSA1
Infineon Technologies
EP20K60ETC144-2
Intel
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation