casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP35R12W2T4BOMA1
codice articolo del costruttore | FP35R12W2T4BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP35R12W2T4BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP35R12W2T4BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 54A |
Potenza - Max | 215W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12W2T4BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP35R12W2T4BOMA1-FT |
FF450R12ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4PBOSA1
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FF450R17IE4BOSA2
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FF450R17ME3BOSA1
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FF450R17ME4B11BOSA1
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FF450R17ME4BOSA1
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FF450R17ME4PB11BOSA1
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FF450R17ME4PBOSA1
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FF450R33T3E3P2BPSA1
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A3P125-TQG144
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LFE2M70E-6FN1152I
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5SGXMA4K1F40C2LN
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