casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQU3N60CTU
codice articolo del costruttore | FQU3N60CTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQU3N60CTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQU3N60CTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQU3N60CTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQU3N60CTU-FT |
HUFA76645S3ST
ON Semiconductor
HUFA76645S3ST-F085
ON Semiconductor
IRFW540ATM
ON Semiconductor
IRFW630BTM-FP001
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ISL9N302AS3ST
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ISL9N303AS3ST
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NDB4050
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NDB4050L
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NDB4060
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NDB4060L
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
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XC6SLX150-3FG484I
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A42MX36-1PQG240
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A3P1000-2FGG484I
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XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel