casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP18N20V2
codice articolo del costruttore | FQP18N20V2 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP18N20V2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP18N20V2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 123W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP18N20V2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP18N20V2-FT |
FCP36N60N
ON Semiconductor
FDP060AN08A0
ON Semiconductor
FCP099N65S3
ON Semiconductor
FCP125N65S3
ON Semiconductor
FCP165N65S3R0
ON Semiconductor
FCP190N60E
ON Semiconductor
FCP190N65S3R0
ON Semiconductor
FCP260N65S3
ON Semiconductor
FCP360N65S3R0
ON Semiconductor
FCP600N65S3R0
ON Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel