casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCP36N60N
codice articolo del costruttore | FCP36N60N |
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Numero di parte futuro | FT-FCP36N60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SupreMOS™ |
FCP36N60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 312W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP36N60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCP36N60N-FT |
FDP75N08A
ON Semiconductor
FDP65N06
ON Semiconductor
FQP20N06L
ON Semiconductor
HUF75645P3
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FDP52N20
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FDP8896
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HUF76423P3
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FDP7030BL
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FQP50N06L
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A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
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LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.