casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCP260N65S3
codice articolo del costruttore | FCP260N65S3 |
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Numero di parte futuro | FT-FCP260N65S3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® III |
FCP260N65S3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP260N65S3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCP260N65S3-FT |
FDP7030BL
ON Semiconductor
FQP50N06L
ON Semiconductor
FQP22N30
ON Semiconductor
FDP2532
ON Semiconductor
HUF75321P3
ON Semiconductor
FQP13N10
ON Semiconductor
FCP4N60
ON Semiconductor
FQP4P40
ON Semiconductor
FCP7N60
ON Semiconductor
FDP12N50
ON Semiconductor
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation