casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP060AN08A0
codice articolo del costruttore | FDP060AN08A0 |
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Numero di parte futuro | FT-FDP060AN08A0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP060AN08A0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP060AN08A0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP060AN08A0-FT |
FDP65N06
ON Semiconductor
FQP20N06L
ON Semiconductor
HUF75645P3
ON Semiconductor
FDP52N20
ON Semiconductor
FDP8896
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HUF76423P3
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FDP7030BL
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FQP50N06L
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FQP22N30
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FDP2532
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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