casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP060AN08A0
codice articolo del costruttore | FDP060AN08A0 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDP060AN08A0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP060AN08A0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP060AN08A0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP060AN08A0-FT |
FDP65N06
ON Semiconductor
FQP20N06L
ON Semiconductor
HUF75645P3
ON Semiconductor
FDP52N20
ON Semiconductor
FDP8896
ON Semiconductor
HUF76423P3
ON Semiconductor
FDP7030BL
ON Semiconductor
FQP50N06L
ON Semiconductor
FQP22N30
ON Semiconductor
FDP2532
ON Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel