codice articolo del costruttore | FQA7N60 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQA7N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA7N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 152W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA7N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA7N60-FT |
FDA50N50
ON Semiconductor
FQA9P25
ON Semiconductor
FQA32N20C
ON Semiconductor
FQA6N90C-F109
ON Semiconductor
FCA35N60
ON Semiconductor
FQA8N100C
ON Semiconductor
FQA10N80C-F109
ON Semiconductor
FQA90N08
ON Semiconductor
FDA28N50F
ON Semiconductor
FDA59N25
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel