casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDA50N50
codice articolo del costruttore | FDA50N50 |
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Numero di parte futuro | FT-FDA50N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDA50N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA50N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDA50N50-FT |
RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics America
UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2825T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
2SK3482-AZ
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2SK3484-AZ
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2SK3483-AZ
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2SK3813-AZ
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RJK6002DPH-E0#T2
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RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK03M1DPA-00#J5A
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation