casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDA28N50F
codice articolo del costruttore | FDA28N50F |
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Numero di parte futuro | FT-FDA28N50F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDA28N50F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5387pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA28N50F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDA28N50F-FT |
RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK03M1DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK1575DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK1576DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK0353DPA-WS#J0B
Renesas Electronics America
FK8V03020L
Panasonic Electronic Components
FK8V03030L
Panasonic Electronic Components
FK8V03040L
Panasonic Electronic Components
FK8V03050L
Panasonic Electronic Components
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel