codice articolo del costruttore | FQA9P25 |
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Numero di parte futuro | FT-FQA9P25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA9P25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 5.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA9P25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA9P25-FT |
UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2825T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
2SK3482-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484-AZ
Renesas Electronics America
2SK3483-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-AZ
Renesas Electronics America
RJK6002DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK03M1DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK1575DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation