codice articolo del costruttore | FQA5N90 |
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Numero di parte futuro | FT-FQA5N90 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA5N90 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 185W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA5N90 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA5N90-FT |
FCA20N60F
ON Semiconductor
FQA140N10
ON Semiconductor
FQA65N20
ON Semiconductor
FDA28N50
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FQA13N80-F109
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FQA9N90C-F109
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FDA032N08
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FCA36N60NF
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FDA50N50
ON Semiconductor
FQA9P25
ON Semiconductor
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel