casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQA65N20
codice articolo del costruttore | FQA65N20 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQA65N20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA65N20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA65N20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA65N20-FT |
RJK1555DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK1557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2057DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2555DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics America
UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2825T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
2SK3482-AZ
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel