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ON Semiconductor FGA30N120FTDTU

Numero parte MFG
FGA30N120FTDTU
quantità disponibile
49020 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.344
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore FGA30N120FTDTU
Numero di parte futuro FT-FGA30N120FTDTU
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FGA30N120FTDTU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Potenza - Max 339W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 208nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -
Condizione di test -
Tempo di recupero inverso (trr) 730ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGA30N120FTDTU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FGA30N120FTDTU-FT

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