casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / HGTG30N60C3D
codice articolo del costruttore | HGTG30N60C3D |
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Numero di parte futuro | FT-HGTG30N60C3D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGTG30N60C3D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 63A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 252A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 208W |
Cambiare energia | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 162nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG30N60C3D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGTG30N60C3D-FT |
SGP15N60XKSA1
Infineon Technologies
SGP20N60HSXKSA1
Infineon Technologies
SGP20N60XKSA1
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SGP30N60HSXKSA1
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SGP30N60XKSA1
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SKP02N60XKSA1
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S2000-4FG456I
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XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA150-FG144
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-3
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EP4CE6F17I8L
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10AX090H3F34I2SG
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EP20K100CQ240C9
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