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ON Semiconductor HGTG30N60C3D
- Numero parte MFG
- HGTG30N60C3D
- quantità disponibile
- 78230 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 6.448
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- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT 600V 63A 208W TO247
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HGTG30N60C3D.pdf
HGTG30N60C3D specificazioni
| codice articolo del costruttore | HGTG30N60C3D |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HGTG30N60C3D |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HGTG30N60C3D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 63A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 252A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 208W |
| Cambiare energia | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 162nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTG30N60C3D Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HGTG30N60C3D-FT |
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