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ON Semiconductor HGTG30N60B3

Numero parte MFG
HGTG30N60B3
quantità disponibile
70330 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.152
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- IGBT 600V 60A 208W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-HGTG30N60B3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HGTG30N60B3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Potenza - Max 208W
Cambiare energia 500µJ (on), 680µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 36ns/137ns
Condizione di test 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTG30N60B3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HGTG30N60B3-FT

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