casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / HGTG30N60B3
codice articolo del costruttore | HGTG30N60B3 |
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Numero di parte futuro | FT-HGTG30N60B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGTG30N60B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 208W |
Cambiare energia | 500µJ (on), 680µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 170nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 36ns/137ns |
Condizione di test | 480V, 30A, 3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG30N60B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGTG30N60B3-FT |
SGP20N60XKSA1
Infineon Technologies
SGP30N60HSXKSA1
Infineon Technologies
SGP30N60XKSA1
Infineon Technologies
SKP02N120XKSA1
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SKP02N60XKSA1
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IGU04N60TAKMA1
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LFEC3E-4T144C
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A54SX32A-1CQ208M
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EP3SE110F1152I3N
Intel
XC7K325T-L2FBG900I
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LFEC3E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S180F1508C4N
Intel