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ON Semiconductor HGTG10N120BND

Name: HGTG10N120BND
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTG10N120BND
Price: 3.16 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (121 reviews)

Numero parte MFG: HGTG10N120BND

quantità disponibile: 99000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.16

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 1200V 35A 298W TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HGTG10N120BND.pdf

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HGTG10N120BND specificazioni

codice articolo del costruttore	HGTG10N120BND
Numero di parte futuro	FT-HGTG10N120BND
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGTG10N120BND Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max	298W
Cambiare energia	850µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	23ns/165ns
Condizione di test	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	70ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTG10N120BND Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HGTG10N120BND-FT

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