casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFH50US60S
codice articolo del costruttore | FFH50US60S |
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Numero di parte futuro | FT-FFH50US60S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
FFH50US60S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.54V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 124ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFH50US60S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFH50US60S-FT |
MBR3540
GeneSiC Semiconductor
S12D
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S16J
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GKN26/08
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GKR26/14
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1N8024-GA
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1N8028-GA
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A3PN020-QNG68
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XC3S1400A-4FT256I
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XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
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A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
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LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel