casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N8030-GA
codice articolo del costruttore | 1N8030-GA |
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Numero di parte futuro | FT-1N8030-GA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N8030-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 750mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.39V @ 750mA |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-257-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8030-GA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N8030-GA-FT |
MBRH24030
GeneSiC Semiconductor
MBRH24030R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24035
GeneSiC Semiconductor
MBRH24035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24040
GeneSiC Semiconductor
MBRH24040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24045
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MBRH24045R
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MBRH24060
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MBRH24060R
GeneSiC Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
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XA3SD1800A-4CSG484Q
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A3PE1500-1FG484I
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Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
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EP2SGX30CF780C5N
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EP4SGX230FF35C4N
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