casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESB16GT-E3/45
codice articolo del costruttore | FESB16GT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FESB16GT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB16GT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16GT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESB16GT-E3/45-FT |
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division