casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 20ETS12STRL
codice articolo del costruttore | 20ETS12STRL |
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Numero di parte futuro | FT-20ETS12STRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETS12STRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETS12STRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 20ETS12STRL-FT |
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel