casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 20ETF10STRL
codice articolo del costruttore | 20ETF10STRL |
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Numero di parte futuro | FT-20ETF10STRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETF10STRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF10STRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 20ETF10STRL-FT |
VS-6TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation