casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 20ETF12S
codice articolo del costruttore | 20ETF12S |
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Numero di parte futuro | FT-20ETF12S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETF12S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF12S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 20ETF12S-FT |
VS-6TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation