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ON Semiconductor FDV302P-NB8V001

Name: FDV302P-NB8V001
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDV302P-NB8V001
Availability: InStock
Rating: 4.7 (417 reviews)

Numero parte MFG: FDV302P-NB8V001

quantità disponibile: 92170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDV302P-NB8V001.pdf

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FDV302P-NB8V001 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDV302P-NB8V001
Numero di parte futuro	FT-FDV302P-NB8V001
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDV302P-NB8V001 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.31nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	-8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDV302P-NB8V001 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDV302P-NB8V001-FT

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