codice articolo del costruttore | 2N7002E |
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Numero di parte futuro | FT-2N7002E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N7002E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N7002E-FT |
SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2336DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2367DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel