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codice articolo del costruttore | SI2309CDS-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2309CDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2309CDS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2309CDS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2309CDS-T1-E3-FT |
BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2301-TP
Micro Commercial Co
SI2328DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2337DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2351ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel