casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS9926A
codice articolo del costruttore | FDS9926A |
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Numero di parte futuro | FT-FDS9926A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS9926A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 10V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS9926A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS9926A-FT |
IRFHM8363TR2PBF
Infineon Technologies
2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
2N7002DW L6327
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BSD340NH6327XTSA1
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FDC6036P
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FDC6036P_F077
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XC2S15-5TQG144I
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XC4005XL-1PQ100C
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M1A3PE1500-FG484
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EP4CE15E22I8L
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10AX090R4F40E3SG
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