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Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (42 reviews)

Numero parte MFG: IRFHM8363TR2PBF

quantità disponibile: 68230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFHM8363TR2PBF.pdf

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IRFHM8363TR2PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFHM8363TR2PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFHM8363TR2PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM8363TR2PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Potenza - Max	2.7W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TR2PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFHM8363TR2PBF-FT

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