casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / 2N7002DW L6327
codice articolo del costruttore | 2N7002DW L6327 |
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Numero di parte futuro | FT-2N7002DW L6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
2N7002DW L6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002DW L6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N7002DW L6327-FT |
IRF7331TR
Infineon Technologies
IRF7331TRPBF
Infineon Technologies
IRF7338PBF
Infineon Technologies
IRF7338TRPBF
Infineon Technologies
IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7341PBF
Infineon Technologies
IRF7341QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7342QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7343PBF
Infineon Technologies
IRF7343QTRPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel