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Infineon Technologies 2N7002DW L6327

Numero parte MFG
2N7002DW L6327
quantità disponibile
74880 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore 2N7002DW L6327
Numero di parte futuro FT-2N7002DW L6327
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
2N7002DW L6327 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7002DW L6327 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 2N7002DW L6327-FT

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