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Infineon Technologies 2N7002DW L6327
- Numero parte MFG
- 2N7002DW L6327
- quantità disponibile
- 74880 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 2N7002DW L6327.pdf
2N7002DW L6327 specificazioni
| codice articolo del costruttore | 2N7002DW L6327 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-2N7002DW L6327 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| 2N7002DW L6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Potenza - Max | 500mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N7002DW L6327 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 2N7002DW L6327-FT |
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