casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDC6036P
codice articolo del costruttore | FDC6036P |
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Numero di parte futuro | FT-FDC6036P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC6036P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 992pF @ 10V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC6036P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC6036P-FT |
IRF7338PBF
Infineon Technologies
IRF7338TRPBF
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IRF7341GTRPBF
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A3PE3000-1FGG484I
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M1A3P400-FGG484I
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10CL010ZE144I8G
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5SGXEA7K2F35C2N
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XC6VLX550T-2FFG1759C
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10AX057K4F35E3LG
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10AX016E3F27I1HG
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