casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS6975
codice articolo del costruttore | FDS6975 |
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Numero di parte futuro | FT-FDS6975 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6975 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1540pF @ 15V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6975 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS6975-FT |
2N7002DW L6327
Infineon Technologies
BSD340NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDC6036P
ON Semiconductor
FDC6036P_F077
ON Semiconductor
FDC6302P
ON Semiconductor
FDC8602
ON Semiconductor
FDC6312P
ON Semiconductor
FDC6320C
ON Semiconductor
FDC6303N
ON Semiconductor
FDC6318P
ON Semiconductor
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel