casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDC6303N
codice articolo del costruttore | FDC6303N |
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Numero di parte futuro | FT-FDC6303N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDC6303N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 680mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Potenza - Max | 700mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC6303N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC6303N-FT |
IRF7343PBF
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