casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS6961A
codice articolo del costruttore | FDS6961A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDS6961A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6961A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6961A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS6961A-FT |
IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
IRFHM792TR2PBF
Infineon Technologies
IRFHM8363TR2PBF
Infineon Technologies
2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
2N7002DW L6327
Infineon Technologies
BSD340NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDC6036P
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C5F256C7N
Intel
5SGXMA5N3F40C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7N
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel