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ON Semiconductor FDP4D5N10C

Name: FDP4D5N10C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP4D5N10C
Price: 2.887504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

Numero parte MFG: FDP4D5N10C

quantità disponibile: 40330 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.887504

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDP4D5N10C.pdf

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FDP4D5N10C specificazioni

codice articolo del costruttore	FDP4D5N10C
Numero di parte futuro	FT-FDP4D5N10C
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDP4D5N10C Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	128A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP4D5N10C Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDP4D5N10C-FT

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