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Infineon Technologies IAUC120N04S6L008ATMA1

Numero parte MFG
IAUC120N04S6L008ATMA1
quantità disponibile
72280 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.033032
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IAUC120N04S6L008ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IAUC120N04S6L008ATMA1
Numero di parte futuro FT-IAUC120N04S6L008ATMA1
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IAUC120N04S6L008ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7910pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUC120N04S6L008ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IAUC120N04S6L008ATMA1-FT

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