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ON Semiconductor FDB1D7N10CL7

Numero parte MFG
FDB1D7N10CL7
quantità disponibile
15940 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 6.09544
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDB1D7N10CL7 specificazioni

codice articolo del costruttore FDB1D7N10CL7
Numero di parte futuro FT-FDB1D7N10CL7
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDB1D7N10CL7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 268A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB1D7N10CL7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDB1D7N10CL7-FT

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