casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IAUC120N04S6N009ATMA1
codice articolo del costruttore | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IAUC120N04S6N009ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IAUC120N04S6N009ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUC120N04S6N009ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IAUC120N04S6N009ATMA1-FT |
FMD47-06KC5
IXYS
IXKC15N60C5
IXYS
IXKC19N60C5
IXYS
IXKC20N60C
IXYS
IXKC23N60C5
IXYS
IXKC25N80C
IXYS
IXKC40N60C
IXYS
IXKF40N60SCD1
IXYS
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
VMO60-05F
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel