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ON Semiconductor FDP047N08-F102

Name: FDP047N08-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP047N08-F102
Price: 1.557472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (125 reviews)

Numero parte MFG: FDP047N08-F102

quantità disponibile: 27340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.557472

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDP047N08-F102.pdf

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FDP047N08-F102 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDP047N08-F102
Numero di parte futuro	FT-FDP047N08-F102
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDP047N08-F102 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	164A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 Ohm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9415pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	268W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP047N08-F102 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDP047N08-F102-FT

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