casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMA6023PZT
codice articolo del costruttore | FDMA6023PZT |
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Numero di parte futuro | FT-FDMA6023PZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMA6023PZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 885pF @ 10V |
Potenza - Max | 700mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA6023PZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMA6023PZT-FT |
BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
BSG0813NDIATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L35AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L65AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S4L61AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S408AATMA1
Infineon Technologies
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel