casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMA6023PZT
codice articolo del costruttore | FDMA6023PZT |
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Numero di parte futuro | FT-FDMA6023PZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMA6023PZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 885pF @ 10V |
Potenza - Max | 700mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA6023PZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMA6023PZT-FT |
BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
BSG0813NDIATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L35AATMA1
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IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L65AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S4L61AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S408AATMA1
Infineon Technologies
A1020B-1VQ80C
Microsemi Corporation
EX256-FTQG100
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EP20K400EFC672-2N
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5SGXEA3K2F40C2L
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C8N
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EP4SGX290FF35I3N
Intel