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Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1
- Numero parte MFG
- BSG0813NDIATMA1
- quantità disponibile
- 56460 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.81544
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- BSG0813NDIATMA1.pdf
BSG0813NDIATMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | BSG0813NDIATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-BSG0813NDIATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| BSG0813NDIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 33A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSG0813NDIATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | BSG0813NDIATMA1-FT |
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