casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IPG20N06S4L26AATMA1
codice articolo del costruttore | IPG20N06S4L26AATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPG20N06S4L26AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N06S4L26AATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
Potenza - Max | 33W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N06S4L26AATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPG20N06S4L26AATMA1-FT |
IRF7316QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7316TR
Infineon Technologies
IRF7317PBF
Infineon Technologies
IRF7317TRPBF
Infineon Technologies
IRF7319PBF
Infineon Technologies
IRF7324
Infineon Technologies
IRF7324PBF
Infineon Technologies
IRF7325
Infineon Technologies
IRF7325PBF
Infineon Technologies
IRF7325TR
Infineon Technologies
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation