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Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1

Numero parte MFG
IPG20N10S4L22AATMA1
quantità disponibile
40650 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.644304
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPG20N10S4L22AATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPG20N10S4L22AATMA1
Numero di parte futuro FT-IPG20N10S4L22AATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPG20N10S4L22AATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V
Potenza - Max 60W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L22AATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPG20N10S4L22AATMA1-FT

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