codice articolo del costruttore | FDJ128N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDJ128N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDJ128N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC75-6 FLMP |
Pacchetto / caso | SC75-6 FLMP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDJ128N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDJ128N-FT |
FQI27P06TU
ON Semiconductor
FQI2N30TU
ON Semiconductor
FQI2N80TU
ON Semiconductor
FQI2N90TU
ON Semiconductor
FQI2NA90TU
ON Semiconductor
FQI2P25TU
ON Semiconductor
FQI32N12V2TU
ON Semiconductor
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel