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ON Semiconductor FDG6303N_G

Numero parte MFG
FDG6303N_G
quantità disponibile
12390 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- INTEGRATED CIRCUIT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FDG6303N_G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FDG6303N_G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG6303N_G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDG6303N_G-FT

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