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Microsemi Corporation APTM100A12STG

Numero parte MFG
APTM100A12STG
quantità disponibile
24590 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTM100A12STG specificazioni

codice articolo del costruttore APTM100A12STG
Numero di parte futuro FT-APTM100A12STG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM100A12STG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 616nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17400pF @ 25V
Potenza - Max 1250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100A12STG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM100A12STG-FT

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