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Microsemi Corporation APTM100A46FT1G

Numero parte MFG
APTM100A46FT1G
quantità disponibile
12540 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTM100A46FT1G
Numero di parte futuro FT-APTM100A46FT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM100A46FT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Potenza - Max 357W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100A46FT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM100A46FT1G-FT

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