casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTM100A23SCTG
codice articolo del costruttore | APTM100A23SCTG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM100A23SCTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM100A23SCTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
Potenza - Max | 694W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100A23SCTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM100A23SCTG-FT |
UPA2660T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2690T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA3753GR-E1-AT
Renesas Electronics America
APTSM120AM08CT6AG
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APTSM120AM09CD3AG
Microsemi Corporation
APTSM120AM14CD3AG
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APTSM120AM25CT3AG
Microsemi Corporation
APTSM120AM55CT1AG
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APTSM120TAM33CTPAG
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SSM6P35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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M2GL060-FCSG325
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EP2C8F256C6N
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5SGSMD6N2F45I3LN
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XC6VHX250T-1FFG1154I
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XC6VHX380T-1FFG1923I
Xilinx Inc.