casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDG6301N-F085P
codice articolo del costruttore | FDG6301N-F085P |
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Numero di parte futuro | FT-FDG6301N-F085P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FDG6301N-F085P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Potenza - Max | 300mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6301N-F085P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDG6301N-F085P-FT |
APTC90HM60T3G
Microsemi Corporation
APTC90TAM60TPG
Microsemi Corporation
APTJC120AM13VCT1AG
Microsemi Corporation
APTM100A12STG
Microsemi Corporation
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
XC4010L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel