casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD5N50NZTM
codice articolo del costruttore | FDD5N50NZTM |
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Numero di parte futuro | FT-FDD5N50NZTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDD5N50NZTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD5N50NZTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD5N50NZTM-FT |
FDD9411L-F085
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ON Semiconductor
IRFR4105TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
TK33S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDD8870
ON Semiconductor
IRFR5410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7833
Infineon Technologies
FDD2572-F085
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel