casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR5410TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR5410TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR5410TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR5410TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR5410TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR5410TRPBF-FT |
ZVP2120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP4105A
Diodes Incorporated
ZVP4105ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP4105ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP4424ASTOA
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel